炭化ケイ素（SiC）若しくは、シリコンカーバイドは、炭素（C）とケイ素（Si）が1対1で共有結合した結晶材料です。SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV／cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1／10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。

パワーデバイスのウェハーについては、これまでほぼピュアシリコンが使われてきました。そうして、耐圧600Vを境にSiCが台頭してくるとの傾向が強くなりました。とりわけ電鉄や発電用パワーコンディショナー、自動車などにそのアプリが拡大するとの見方が出てきております。

4H-SiC製法

昇華法（PVT、物理的気相輸送法）

4H単結晶SiC物性データー

モース硬度	9.2
密度	3.21g ／ cm3
熱膨張係数	（4-5）x10-6 ／ K
屈折率@750nm	no=2.61, ne=2.66
誘電率	c～9.66
熱伝導率 （N型、0.02Ω以下）	a~4.2 W／cm・K@298K c~3.7 W／cm・K@298K
バンドギャップ	3.23 eV
破壊電界	（3-5）x106V ／ cm

用途

各種半導体基板：パワーデバイス、高周波デバイス、ヒートシンク、LED、UVセンサ、等

SiCウェハー／SiC Wafer

基本内容

直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"、Φ8"

厚さ：200µm、350µm、500µm、600µm、900µm、特別指定可能

ポリタイプ：4H

MPD：≤1／cm2、≤5／cm2、≤10／cm2、≤30/cm2

導電性：N-Type、Semi-insulating

抵抗率：N-Type（0.015-0.028Ω・cm）、Semi-insulating（>1x106Ω・cm）

面方位：<0001>0 ° ／4 °0ff ± 0.5 °

受注数量：1枚～

生産能力：3万枚以上／月

納期：2週間～、在庫品は即納可能

各サイズ標準仕様

項目	2 インチ	3 インチ	4 インチ	6 インチ	8 インチ
ポリタイプ	6H／4H	4H	4H	4H	4H
導電タイプ	N-Type、Semi-insulating(半絶縁)
直径	50.8 ± 0.5mm	76.2 ± 0.5mm	100 ± 0.3mm	150 ± 0.3mm	200 ± 0.3mm
厚さ	350 ± 25 µ m、500 ± 25 µ m
MPDグレード	≤ 0.5／cm2、 ≤ 5／cm2、 ≤ 10／cm2、 ≤ 30／cm2
FWHM	＜30arcsec
有効面積	≧ 90%
面方位	＜0001＞0 °off±0.5°、＜0001＞4 ° off ± 0.5 °
主オリフラ	＜10-10＞ ± 5 °
主オリフラ長さ	16 ± 2mm	22 ± 2mm	32.5 ± 2mm	47.5 ± 2.5mm	Notch
副オリフラ	主オリフラより時計回り90°± 5°（ Si面を上にする）
副オリフラ長さ	8 ± 2mm	11 ± 2mm	18 ± 2mm	無	無
表面仕上	CMP 研磨、 Ra ≤ 0.3nm
裏面仕上	鏡面研磨、Ra ≤ 1nm
TTV	≤10 µ m	≤10 µ m	≤15 µ m	≤15 µ m	≤15 µ m
Warp	≤15 µ m	≤20 µ m	≤25 µ m	≤40 µ m	≤70 µ m

※厚み等の仕様内容は特別に指定することも可能でございます。

SiC加工

特殊厚み加工

特殊形状加工

Si面・C面研削・研磨加工　2”～8”

使用例

基板用：LED基板、パワーデバイス基板、センサー用基板、他

機械装置及び加工技術開発用：研削・研磨装置、レーザー加工装置、等

※アズスライス・ウェハー、SiCインゴット等もご提供可能です。